致真存储的最新研究成果被国际可靠性顶级会议IRPS接收

致真存储团队最新进展

致真存储团队在自旋轨道矩磁随机存储器（SOT-MRAM）研发方面取得的重要成果以《SOT-MRAM全可靠性表征》(Full Reliability Characterization of SOT-MRAM)为题，在第61届IEEE国际可靠性物理学研讨会上的投稿已被接收(接收率约为30%)。

团队系统地研究了包括电迁移、应力迁移、耐久性和数据保留性能在内的SOT-MRAM器件的可靠性性能。结果表明，SOT-MRAM器件在工作条件下可满足10年以上的电迁移寿命要求，在175℃高温环境下可满足1000小时以上的应力迁移使用寿命要求。同样的SOT-MRAM器件还证明了能够达到接近百万亿次循环的高耐久性和超过10年存储时间的卓越数据保留性能。

研究背景

STT-MRAM器件利用电流诱导的自旋转移扭矩来切换自由层磁化，而通过磁隧道结过高的电流密度在写入操作期间可能导致隧道势垒的击穿。相比之下，在三端器件中读写路径分离的SOT-MRAM解决了高写入电流导致的隧道结老化问题。

截止到目前，针对SOT-MRAM可靠性结果的相关研究较为有限，很少有关于SOT-MRAM可靠性的系统研究。对此，团队在不同方面对SOT-MRAM进行了全面的可靠性研究特征，填补了SOT-MRAM可靠性研究的空白，并将有助于SOT-MRAM的商业化。

● About IRPS

IEEE国际可靠性物理学研讨会（IRPS）是工程师和科学家在微电子可靠性领域发表新的和原创性工作的首要会议。

IRPS吸引了来自美国、欧洲、亚洲和世界其他地区的与会者，旨在通过提高对故障物理学和应用环境的理解，了解半导体器件、集成电路和微电子组件的可靠性。IRPS为与会者提供了许多机会来增加他们对微电子可靠性各个方面的知识和理解。这也是一个与来自世界各地的可靠性同事会面和交流的绝佳机会。

2023年的国际可靠性物理学研讨会，我国包括清华、北大、浙大等高校均有不少科研团队参与其中，在不同的可靠性领域分享自己团队的研究。MRAM作为新兴存储的研究热点，其相关领域共有6篇投稿被接收，分别来自Samsung、IMEC、IBM等大厂以及国内外高校。